雙極型晶體管檢測(cè)

雙極型晶體管檢測(cè)項(xiàng)目報(bào)價(jià)？??解決方案？??檢測(cè)周期？??樣品要求？

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JB/T 8951.1-1999 絕緣柵雙極型晶體管

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的型號(hào)、外形尺寸、額定值、特性、試驗(yàn)方法和檢驗(yàn)規(guī)則等

Insulated gate bipolar transistor

GB/T 17007-1997 絕緣柵雙極型晶體管測(cè)試方法

Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor

GB/T 6218-1996 開關(guān)用雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

開關(guān)用雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications

GOST 18604.10-1976 雙極型晶體管.輸入電阻測(cè)量方法

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11

Transistors bipolar. Input resistance measurement technique

GOST 18604.26-1985 雙極型晶體管.暫態(tài)參數(shù)測(cè)量方法

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки t

Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement

TIS 1864-2009 半導(dǎo)體器件.第7部分:雙極型晶體管

Semiconductor devices.part 7: bipolar transistors

SJ/T 10439-1993 雙極型晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀.測(cè)試方法

本標(biāo)準(zhǔn)適用于SJ/T 10438《雙極型晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀通用技術(shù)條件》所規(guī)定的性能特性的測(cè)試

Test methods for bipolar transister DC parameter testers

JB/T 8951.2-1999 絕緣柵雙極型晶體管模塊.臂和臂對(duì)

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的臂和臂對(duì)模塊的型號(hào)、外形尺寸、額定值和特性、試驗(yàn)方法和檢驗(yàn)規(guī)則等

Insulated gate bipolar transistor modules arm and pair of arms

GB/T 7576-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件 第7部分;雙極型晶體管 第四篇 高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定高頻放大管殼額定雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。 本空白詳細(xì)規(guī)范是與GB/T4589.1-1989《半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB/T 12560-1990《半導(dǎo)體器件 分立器件分規(guī)范

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section Four--Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification

T/FSI 121-2023 絕緣柵雙極型晶體管用有機(jī)硅凝膠

本文件規(guī)定了絕緣柵雙極型晶體管（簡(jiǎn)稱 IGBT）用有機(jī)硅凝膠的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存。 本文件適用于各種IGBT模塊用的雙組分加成型有機(jī)硅凝膠

Silicone Gels for Insulated Gate Bipolar Transistors

GOST 18604.23-1980 雙極型晶體管.組合頻率系數(shù)測(cè)量方法

Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies

GB/T 6217-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件 第7部分;雙極型晶體管 第一篇 高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section One--Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

SJ/T 10438-1993 雙極型晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀.通用技術(shù)條件

本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用直流法、單脈沖法測(cè)試雙極型晶體管直流參數(shù)的各類多參數(shù)測(cè)試儀，也適用于各類單參數(shù)的直流參數(shù)測(cè)試儀。它是直流參數(shù)測(cè)試儀產(chǎn)品設(shè)計(jì)、、生產(chǎn)和使用的共同技術(shù)依據(jù)，也是制訂各種直流參數(shù)測(cè)試儀產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的共同技術(shù)依據(jù)

General specification for bipolar transister DC parameter testers

GOST 18604.20-1978 雙極型晶體管.低頻噪聲系數(shù)的測(cè)量方法

Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies

GB/T 17008-1997 絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號(hào)

Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor

JB/T 8951.1-1999 絕緣柵雙極型晶體管

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的型號(hào)、外形尺寸、額定值、特性、試驗(yàn)方法和檢驗(yàn)規(guī)則等

Insulated gate bipolar transistor

GB/T 17007-1997 絕緣柵雙極型晶體管測(cè)試方法

Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor

GB/T 6218-1996 開關(guān)用雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

開關(guān)用雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications

GOST 18604.10-1976 雙極型晶體管.輸入電阻測(cè)量方法

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11

Transistors bipolar. Input resistance measurement technique

GOST 18604.26-1985 雙極型晶體管.暫態(tài)參數(shù)測(cè)量方法

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки t

Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement

TIS 1864-2009 半導(dǎo)體器件.第7部分:雙極型晶體管

Semiconductor devices.part 7: bipolar transistors

SJ/T 10439-1993 雙極型晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀.測(cè)試方法

本標(biāo)準(zhǔn)適用于SJ/T 10438《雙極型晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀通用技術(shù)條件》所規(guī)定的性能特性的測(cè)試

Test methods for bipolar transister DC parameter testers

JB/T 8951.2-1999 絕緣柵雙極型晶體管模塊.臂和臂對(duì)

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的臂和臂對(duì)模塊的型號(hào)、外形尺寸、額定值和特性、試驗(yàn)方法和檢驗(yàn)規(guī)則等

Insulated gate bipolar transistor modules arm and pair of arms

GB/T 7576-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件 第7部分;雙極型晶體管 第四篇 高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定高頻放大管殼額定雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。 本空白詳細(xì)規(guī)范是與GB/T4589.1-1989《半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB/T 12560-1990《半導(dǎo)體器件 分立器件分規(guī)范

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section Four--Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification

T/FSI 121-2023 絕緣柵雙極型晶體管用有機(jī)硅凝膠

本文件規(guī)定了絕緣柵雙極型晶體管（簡(jiǎn)稱 IGBT）用有機(jī)硅凝膠的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存。 本文件適用于各種IGBT模塊用的雙組分加成型有機(jī)硅凝膠

Silicone Gels for Insulated Gate Bipolar Transistors

GOST 18604.23-1980 雙極型晶體管.組合頻率系數(shù)測(cè)量方法

Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies

GB/T 6217-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件 第7部分;雙極型晶體管 第一篇 高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section One--Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

SJ/T 10438-1993 雙極型晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀.通用技術(shù)條件

本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用直流法、單脈沖法測(cè)試雙極型晶體管直流參數(shù)的各類多參數(shù)測(cè)試儀，也適用于各類單參數(shù)的直流參數(shù)測(cè)試儀。它是直流參數(shù)測(cè)試儀產(chǎn)品設(shè)計(jì)、、生產(chǎn)和使用的共同技術(shù)依據(jù)，也是制訂各種直流參數(shù)測(cè)試儀產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的共同技術(shù)依據(jù)

General specification for bipolar transister DC parameter testers

GOST 18604.20-1978 雙極型晶體管.低頻噪聲系數(shù)的測(cè)量方法

Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies

GB/T 17008-1997 絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號(hào)

Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor